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掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片 掺铁钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构。目前我们可以提供掺铁浓度为：0.05％，0.04％的Fe:SrTiO3单晶基片。 主要性能参数 晶系 立方晶系 生长方法 火焰法 晶格常数 a=3.905Å 掺铁浓度(Fe%) 0.005%,0.04% 熔点（℃） 2080 密度 5.122（g/cm3） 硬度 6-6.5（mohs） 热膨胀系数（/℃） 9.4×10-6 介电常数 ε=5.20 化学稳定性 在水中不溶解 热膨胀系数 10.4×10-6/k 正切损耗 ~5×10-4（300k） ~3×10-4（77k） 尺寸 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 厚度 0.5mm、1.0mm 尺寸公差 <±0.1mm 厚度公差 <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm） 抛光 单面或双面 晶面定向精度 ±0.5° 边缘定向精度 2°（特殊要求可达到1°以内） 产品目录： CVD TMDC晶体： >10平方毫米 AgTaS3晶体 >25平方毫米 Ag3Sb晶体 >50平方毫米 Ag2Te晶体 >25平方毫米 Bi4Pb7Se13晶体 >10平方毫米 Cu2Se3晶体 >25平方毫米 AgInP2S6晶体 >50平方毫米 AgInP2Se6晶体 >25平方毫米 Cr2S3晶体 >25平方毫米 CrTe2晶体 >10平方毫米 CuBi3PbS6晶体 >25平方毫米 CuInP2Se6晶体 >50平方毫米 CuInS2晶体 >25平方毫米 GaGeTe晶体 >25平方毫米 GaPS4晶体 >10平方毫米 GeBi2Te4晶体 >25平方毫米 GeBi4Te7晶体 >25平方毫米 GeSb4Te7晶体 >50平方毫米 GeTe晶体 >10平方毫米 HfS3晶体 >50平方毫米 HgPSe3晶体 （单层和多层 ）厚度可定制 In2GaBi2S6晶体 >25平方毫米 In2P3S9晶体 >10平方毫米 以上产品源于如有其他信息或产品信息咨询我们。 温馨提示：供应产品仅用于科研，不能用于人体！ 小编：wyf 03.23